для технологии стекинга такой шаг дает реальное преимущество перед 0,002мм?

1. Толщина человеческого волоса имеет разброс от примерно 50мкм до примерно 110 мкм.))

Давайте уточним, я так понимаю, что дело не буквально в шкале, а условно говоря в "передаточных числах" шестеренок в механизме микровинта. Для одного и того же перемещения столика нужно сделать разное число оборотов ручки физически. И, наоборот, поворот ручки на один и тот же угол вызывает разное (в два раза) перемещение столика. Ну, вернее в данном случае не столик движется, а гусак штатива.
В ощущениях это выглядит как растянутая более плавная фокусировка.
И насчет вопроса про 0,001мм в советских микроскопах - было? У МББ-1 вижу "по паспорту" 0,002мм

.. .. Если для того де перемещения надо в два раза больше оборотов делать крутить то, во-первых, больше устанешь, а во-вторых, потратишь больше времени (а живой объект и уплыть может). Так что решение советских конструкторов малость повысить передачу по сранению с копируемым прототипом - здравое.

А что, микросхемы в этом плане чем-то принципиально отличаются от прочих физических тел?

Микрпланар в разных масштабах может работать, плюс еще с разными диафрагмами, так что единственного ответа в данном случае быть не может. Для ЛОМО 4,7х, полагаю, где-то в районе 6-10 мкм, П или не П не суть важно, лучше б апертуру указали.

А , кстати, какой шаг при фотографировании со стекингом оптимален при съёмке кристаллов микросхем? В качестве объектива используется микропланар 40 или ЛОМО 4,7П

В самом общем смысле от - не особо отличается. По частностям - да, нюансы есть.
Именно - не может быть единственного ответа. И даже с Ломо 4,7х0.11, не только с микропланаром.

Ломо 4,7 П - это версия 3,7х0.11 обычного, только поляризационная и под тубус 190мм. - апертура у него такая же - 0.11

Его можно использовать в широком диапазоне длин тубусов - для этой оптической схемы в измерительных микроскопах подразумевалась регулировка тубуса от 130 до 190мм. Больше 190 - тоже слегка можно, чтобы лучше и ровнее покрыть края кадра.



Это зависит от топографии конкретной схемы, разумеется. У них ведь не одинаковая шероховатость
Ещё надо понимать, что ГРИП зависит и от _масштаба_ съёмки, а не только от разрешающей способности объектива. Это ключевой аспект, который нагляден при расчёте эффективной диафрагмы фотосистемы с точки зрения матрицы камеры. Вы ведь знаете, что чем сильнее зажимаете диафрагму, тем у вас больше ГРИП? Но и что "зажатие" диафрагмы, на дифракционно ограниченной оптике, разумеется, неизбежно снижает разрешение. Посчитайте с вашим масштабом съёмки, какая у вас эффективная (т.е. реально работающая) получается диафрагма, как её видит матрица камеры - формула проста: Эффективное число f — это масштаб съёмки /(2*NA). Посчитаем, скажем, для 4,7х0.11 при его расчётном положении, т.е. при тубусе 190, дающим масштаб съёмки 4,7:1 - выходит, что снимаем с диафрагмой 4,7/(2*0.11) = 21,36. А теперь, например, посчитаем, как она изменится, если снять с масштабом 3,7 - т.е. как этот же объектив работает в расчётной версии своей под тубус 160мм.: 3,7/(2*0,11) = 16,8. Разумеется, что при таком раскладе, у вас неизбежно, хотя бы чуть-чуть, изменится ГРИП - просто по законам физики и оптики в этой вселенной - она не может быть одинаковой, при условии одинаковой числовой апертуры "на объекте съёмки", при _изменении_ эффективного относительного отверстия системы. Ещё у вас неизбежно изменится и семплирование матрицей картинки, построенной объективом, как и степень заметности дифракционного "смягчения"/"размытия" в изображении, но это уже немного другая история.

Кроме того, ГРИП зависит от того, насколько вы _реализовали_ числовую апертуру объектива - т.е. разрешающую способность.
Если вы "зарезали" её тем или иным способом при настройке освещения, то ГРИП у вас вырастет, а разрешение снизится.

Многие микросхемы таким объективом можно спокойно снимать вообще одним кадром. Иногда стэкинг нужен только потому, что не удаётся идеально выровнять плоскость микросхемы относительно плоскости кадра или сам кристалл кривоват (это кажется неожиданным, но тем не менее, это встречается - видимо, для довольно крупной топографии, допуски на плоскостность кристаллов довольно "демократичные").

Нередко, даже при апертуре повыше - скажем, с объективом 5х0.14, при которой ГРИП, разумеется, тоньше, чем при 0.11, тоже достаточно одного кадра - как, например, тут:
Silicon chip К565РУ3 under a microscope. Micropanorama.

Точнее, тут 4 кадра в панораме, но составлена панорама из одиночных кадров без стэкинга. Т.е. шероховатость рельефа конкретной микросхемы, влезла целиком в ГРИП объектива, применённого в расчётном его масштабе съёмки.

Или вот тут - тоже панорама из двух одиночных кадров без стэкинга, но здесь апертура была несколько "зарезана" диафрагмированием осветителя - поэтому разрешение не предельное для данного объектива, но всё, что мне было нужно - он вроде бы разрешил, зато удалось снять без стэка:
Silicon micro chip M27C64A12F1


Так что надо понимать, что нет единого рецепта, какой-то одной "уникальной цифры для шага", даже когда у вас вроде бы один "тип объекта съёмки" - у них будут свои особенности - разная шероховатость, разная мелкость деталей, которые надо разрешить (если они очень крупны, то можно вообще очень сильно "зарезать" апертуру и при том увидеть всё, что нужно, в объекте - например, как вот тут - https://www.flickr.com/photos/oldtor/52 ... 4351497464 )

А если вы к тому же используете немного разный масштаб с одним и тем же объективом, корректируете настройки освещения и пр., то количество переменных ещё возрастает.
Так что к таким моментам надо подходить чисто практически, исходя из конкретной фотографической ситуации. Да, непросто. Но никто и "не обещал", что это будет просто, если стремиться к качественному результату.